特許
J-GLOBAL ID：200903001658221282
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-218931
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160066
出願日： 1991年08月29日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【目的】本発明は、コンタクトホ-ルが良形な形状の導電材料で充填され、素子と配線とが低いコンタクト抵抗で接続できるコンタクトホ-ルを有する半導体装置を提供することを目的とする。【構成】半導体基板1上に形成され、この半導体基板1に設けれた不純物拡散層3上にコンタクトホ-ル5を有する絶縁膜4と、コンタクトホ-ル5の少なくとも底部に形成された反応防止膜6と、コンタクトホ-ル5を充填するシリコンとシリサイド膜7とを備えていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成され、この半導体基板に設けられた所定の素子又は配線上に接続孔を有する絶縁膜と、前記接続孔の少なくとも底部に形成された反応防止膜と、前記接続孔を充填する導電性材料とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/90
