窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 永坂友康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-074779
公開番号（公開出願番号）：特開2008-177514
出願日： 2007年03月22日
公開日（公表日）： 2008年07月31日
要約：

【課題】発光出力が高く、かつ駆動電圧が低い窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。【解決手段】基板上に、窒化ガリウム系化合物半導体からなる、n型半導体層、発光層およびp型半導体層をこの順序で有し、該n型半導体層および該p型半導体層に負極および正極がそれぞれ設けられ、該正極が導電性と透光性を持つ酸化物材料からなる発光素子において、該p型半導体層と該正極との間にGa-O結合および/またはN-O結合を有する化合物を含む層が存在することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、窒化ガリウム系化合物半導体からなる、n型半導体層、発光層およびp型半導体層をこの順序で有し、該n型半導体層および該p型半導体層に負極および正極がそれぞれ設けられ、該正極が導電性と透光性を持つ酸化物材料からなる発光素子において、該p型半導体層と該正極との間にGa-O結合および/またはN-O結合を有する化合物を含む層が存在することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (9件)：

5F041AA24 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA85 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CA99

引用特許：

出願人引用 (7件)

特許第2803742号公報
実開平6-38265号公報
米国特許第6078064号明細書

全件表示

前のページに戻る