特許
J-GLOBAL ID：200903001662908268
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-184580
公開番号（公開出願番号）：特開平5-028768
出願日： 1991年07月24日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 外部周辺装置へ与える電源電圧のレベルはそのままにし、内部回路に与える電圧だけを低くする。【構成】 外部信号Aが“H”レベルのときPMOSトランジスタQ1はオンし内部回路に電源電圧Vccが与えられる。外部信号Aが“L”レベルになるとPMOSトランジスタQ1がオフし、電源電圧降圧回路30から電源電圧より低い電圧が内部回路に与えられる。そのため、外部周辺装置の電源電圧を変更することなく内部回路に与える電圧のみを低くできる。【効果】 外部周辺装置を大幅に改造することなく容易に電源電圧より小さい電圧を内部回路に与えることができる。
請求項（抜粋）：
内部回路と、電源電圧が入力される電源電圧入力端子と、前記電源電圧入力端子に接続され、前記電源電圧を降圧させ、降圧電圧として出力する電源電圧降圧回路と、制御信号が入力される制御信号入力端子と、前記電源電圧降圧回路,前記電源電圧入力端子,前記制御信号入力端子および前記内部回路に各々接続され、前記制御信号に応じて前記電源電圧あるいは前記降圧電圧を前記内部回路に選択的に与えるスイッチング手段とを備えた半導体装置。
IPC (3件)：
G11C 11/41
, H01L 27/04
, H03K 19/00
