特許

J-GLOBAL ID：200903001663709102

半導体装置の製造方法

発明者： 中西 俊郎 ,  石川 健治
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-021582
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223628
出願日： 1997年02月04日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】酸化工程を含む半導体装置の製造方法に関し、酸化膜中に従来よりも多くの重水素結合を取り込むことができること。【解決手段】重水の蒸気を含んだ雰囲気中で半導体層10を酸化して酸化膜11を形成することを含む。

請求項（抜粋）：

重水の蒸気を含んだ雰囲気中で半導体層を酸化して酸化層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (4件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 27/08 102 C ,  H01L 27/08 321 D