特許

J-GLOBAL ID：200903001665132490

パターン形成方法

発明者： 福田 宏 ,  岡崎 信次
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-246584
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106224
出願日： 1993年10月01日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【構成】有機シラン等の有機金属材料を原料とする化学気相成長法を用いて、原料の組成や成長条件を変化させながら基板上にレジスト膜を形成し、これにパターン状のエネルギ線を照射した後現像してレジストパターンを形成する。【効果】レジスト膜の深さ方向に様々な感度分布,光吸収率分布や屈折率分布を作ることにより、レジストの光吸収や下地基板からの反射の影響が低減される。

請求項（抜粋）：

有機金属材料を原料とする化学気相成長法を用いて基板上にエネルギ線感応性の薄膜を形成し、前記薄膜にパターン状のエネルギ線を照射した後、現像して前記エネルギ線照射部又は非照射部のいずれかを除去することにより薄膜パターンを形成するパターン形成方法において、前記有機金属材料原料の組成又は薄膜の成長条件を変化させながら膜形成を行うことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/16 ,  G03F 7/38 512 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/312

FI (2件)：

H01L 21/30 569 H ,  H01L 21/30 502 R