特許

J-GLOBAL ID：200903001665900888

半導体デバイスおよびその製造方法

発明者： ダニエル ブレイセン ,  ユージーン アーサー フィッツジェラルド ジュニア ,  マーチン ローレンス グリーン ,  ヤーフン キー
出願人/特許権者： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-122818
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252046
出願日： 1992年04月17日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】 低レベルのスレディング転位欠陥を有する階層化GexSi1-x合金の大面積ヘテロ構造体を成長させる。【構成】 単結晶シリコン基板を準備し、その基板上に850°C以上の温度で約25%/マイクロメートル以下の勾配で増大するゲルマニウム成分をもつGexSi1-xの階層化層をエピタキシャル成長し、GexSi1-xの階層化層上に半導体材料の層をエピタキシャル成長する。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン基板を準備するステップと、前記シリコン基板上に、850°C以上の温度で、約25%/マイクロメートル以下の勾配で増大するゲルマニウム成分をもつGexSi1-xの階層化層をエピタキシャル成長するステップと、前記GexSi1-xの階層化層上に半導体材料の層をエピタキシャル成長するステップからなることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/15

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭61-064118