特許

J-GLOBAL ID：200903001665956158

III族窒化物結晶の研磨方法およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス

発明者： 皿山 正二 ,  岩田 浩和 ,  鈴木 幸栄 ,  原 敬
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-070275
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281671
出願日： 2003年03月14日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

【課題】III族窒化物結晶の研磨において、スクラッチや欠陥を少なくし、十分実用的な研磨速度,研磨品質を得る。【解決手段】第1の微粒子を溶媒に分散させた研磨液を用いてIII族窒化物結晶を研磨するIII族窒化物結晶の研磨方法において、前記研磨液のpH値が7よりも大きいことを特徴としている。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

第1の微粒子を溶媒に分散させた研磨液を用いてIII族窒化物結晶を研磨するIII族窒化物結晶の研磨方法において、前記研磨液のpH値が7よりも大きいことを特徴とするIII族窒化物結晶の研磨方法。

IPC (4件)：

H01L21/304 ,  B24B1/00 ,  B24B37/00 ,  B24B57/02

FI (4件)：

H01L21/304 622D ,  B24B1/00 A ,  B24B37/00 H ,  B24B57/02

Fターム (11件)：

3C047FF08 ,  3C047GG15 ,  3C049AA07 ,  3C049AC04 ,  3C049CA04 ,  3C049CB01 ,  3C049CB03 ,  3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• GaN及びGa▲下1-x-y▼Al▲下x▼In▲下y▼Nの結晶及びエピタキシャル層の機械-化学研摩
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-542645   出願人：ツェントルムバダニヴィソコチシニエニオヴィフポルスキエイアカデミイナウク
• 窒化ガリウム結晶育成用材料、窒化ガリウム結晶の製造方法、窒化ガリウム結晶および積層体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-242257   出願人：日本碍子株式会社