特許

J-GLOBAL ID：200903001669587564

シリコン単結晶の製造方法

発明者： 桜田 昌弘 ,  上杉 敏治 ,  古瀬 信一
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-140166
公開番号（公開出願番号）：特開平5-306190
出願日： 1992年04月30日
公開日（公表日）： 1993年11月19日
要約：

【要約】【目的】 シリコン単結晶内部の微小欠陥の発生を抑止し、さらにOSFの発生を効果的に抑制する。【構成】 引上単結晶棒を同軸に囲繞する円筒を設けこの円筒内に保護ガスを導入するようにしたチョクラルスキー法によるシリコン単結晶を製造する装置を用い、引上室内の圧力を500mbar以下に設定し、かつ該円筒内の保護ガスの単位面積当りの流量を単結晶棒引上状態で0.25l/min・cm2 以上として単結晶棒を引上げ成長させ、この成長完了した単結晶棒を750〜850°Cの雰囲気領域に少なくとも90分保持する。

請求項（抜粋）：

引上単結晶棒を同軸に囲繞する円筒を設けこの円筒内に保護ガスを導入するようにしたチョクラルスキー法によるシリコン単結晶を製造する装置を用い、引上室内の圧力を500mbar以下に設定し、かつ該円筒内の保護ガスの単位面積当りの流量を単結晶棒引上状態で0.25l/min・cm2以上として単結晶棒を引上げ成長させ、この成長完了した単結晶棒を750〜850°Cの雰囲気温度領域に少なくとも90分保持するようにしたことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 27/02 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208