特許

J-GLOBAL ID：200903001670820175

不揮発性半導体メモリ

発明者： 催 都燦 ,  鄭 泰聖 ,  李 雄茂 ,  イアズ ハク ,  シエド アリ
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-288623
公開番号（公開出願番号）：特開平9-180487
出願日： 1996年10月30日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】 ページ消去前に消去対象のメモリセルのうちデータ変更しないメモリセルのデータを自己保存してこれを用いてページ消去後に再プログラムを実行可能なEEPROMを提供する。【解決手段】 ビットラインを2本ずつ対として使用するNAND構造のメモリセルアレイにおいてビットライン対ごとに設けられ、メモリセルをページ消去する前にこれらメモリセルのうちデータ保存対象のメモリセルから読出されるデータをラッチし、そしてページ消去の後にデータ保存対象のメモリセルに該当のビットラインへそのラッチデータを提供するセンスアンプ39tを備える。また、データ保存対象のメモリセルの読出データを反転するデータ反転回路を38tを、センスアンプがデータ保存対象のメモリセルに該当のビットラインへラッチデータを提供するときには非活性となるようにして設けることもできる。

請求項（抜粋）：

直列接続された複数のフローティングゲート形のメモリセルを含むセルユニットが行と列の形態で多数配列され、各セルユニットの一端をビットラインに接続すると共に各メモリセルの制御ゲートをワードラインに接続し、そしてビットラインを2本ずつビットライン対として使用するメモリセルアレイと、ビットライン対ごとに設けられ、選択ワードラインと接続したメモリセルをページ消去する前にこれらメモリセルのうちデータ保存対象のメモリセルから該当のビットラインに読出されるデータをラッチし、そしてページ消去の後に前記データ保存対象のメモリセルに該当のビットラインへ前記ラッチデータを提供するセンスアンプと、を備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

FI (2件)：

G11C 17/00 530 A ,  G11C 17/00 520 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-225999
  
• 不揮発性半導体メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-077948   出願人：株式会社東芝