特許
J-GLOBAL ID：200903001673374559
半導体基板に対する表面処理用炉心管装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 暁夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-300218
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135446
出願日： 1997年10月31日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板7を入れた内部管3を、炉心管1内に挿入し、この状態で、前記内部管及び炉心管内に反応ガスを供給することで、前記半導体基板の表面処理を行うに際して、処理済半導体基板を取り出すときにおける反応ガスの使用量を低減する。【手段】 前記内部管3を、前記炉心管1内に対して出し入れ自在に構成して、この内部管に、反応ガス供給管8と、反応ガス出口9とを設けて、この内部管3内に反応ガスを供給しながら、前記炉心管1内から引き出すように構成する。
請求項（抜粋）：
一端部に出し入れ口を他端部にガス供給口を有する炉心管と、この炉心管の外側に設けた加熱手段と、前記炉心管の一端部における出し入れ口に対する扉と、前記炉心管内に設けた内部管とから成る炉心管装置において、前記内部管を、前記炉心管内に、当該炉心管の一端部における出し入れ口から出し入れ自在に構成し、この内部管内に被処理の半導体基板を出し入れ自在に装填し、且つ、この内部管に、当該内部管内への反応ガス供給管を接続すると共に、当該内部管からの反応ガス出口を設けたことを特徴とする半導体基板に対する表面処理用炉心管装置。
IPC (4件)：
H01L 21/22 501
, H01L 21/22
, H01L 21/31
, H01L 21/324
H01L 21/22 501 S
, H01L 21/22 501 H
, H01L 21/31 E
, H01L 21/324 R
