特許

J-GLOBAL ID：200903001676967364

光起電力素子及び発電システム

発明者： 狩谷 俊光 ,  斉藤 恵志
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-332062
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181327
出願日： 1992年12月11日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、高速の堆積速度で形成するにもかかわらず優れた光電変換特性を有し、しかも光劣化、振動劣化を抑制した光起電力素子を提供することを目的とする。【構成】 水素を含有する非単結晶シリコン系半導体材料からなるp型層、i型層、n型層を基板上に順次積層して構成され、該i型層がフッ素と炭素を含有し、且つマイクロ波プラズマCVD法で形成されてなる光起電力素子において、該p型層、n型層のうち少なくともひとつの層はマイクロ波プラズマCVD法で形成された層(MWドーピング層)とRFプラズマCVD法で形成された層(RFドーピング層)との積層構造によって構成され、且つ該RFドーピング層は該MWドーピング層と該i型層に挟まれるように配置され、さらに該i型層に含有される炭素含有量は層厚方向に対してなめらかに変化していることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

水素を含有する非単結晶シリコン系半導体材料からなるp型層、i型層、n型層を基板上に順次積層して構成され、該i型層がフッ素と炭素を含有し、且つマイクロ波プラズマCVD法で形成されてなる光起電力素子において、該p型層、n型層のうち少なくともひとつの層はマイクロ波プラズマCVD法で形成された層(MWドーピング層)とRFプラズマCVD法で形成された層(RFドーピング層)との積層構造によって構成され、且つ該RFドーピング層は該MWドーピング層と該i型層に挟まれるように配置され、さらに該i型層に含有される炭素含有量は層厚方向に対してなめらかに変化していることを特徴とする光起電力素子。