特許

J-GLOBAL ID：200903001680640418

半導体装置およびその製造方法

発明者： 小崎 正浩 ,  伊藤 順治
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 森本 義弘 ,  笹原 敏司 ,  原田 洋平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-086171
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244370
出願日： 2007年03月29日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：

【課題】複雑な製造工程を必要とせず、かつ半導体装置全体の小型化も実現しつつ、高い冷却効果を得ることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】共通の素子形成面1aと裏面1bを有するN型半導体領域4とP型半導体領域5とが形成された半導体チップ1と、半導体チップ1のN型半導体領域4の素子形成面1aに形成された電極パッド21と、半導体チップ1のP型半導体領域5の素子形成面1aに形成された電極パッド22と、半導体チップ1の裏面1bに形成された導電層3とでペルチエ効果を利用した冷却素子を構成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

対向する第1面と第2面間にN型半導体領域およびP型半導体領域が形成された半導体素子と、 前記N型半導体領域の前記第1面に形成された第1導電層と、 前記P型半導体領域の前記第1面に形成された第2導電層と、 前記半導体素子の前記第2面に前記N型半導体領域と前記P型半導体領域とにわたって形成された第3導電層とを備え、 前記N型半導体領域および前記P型半導体領域と、前記第1導電層および前記第2導電層と、前記第3導電層とで冷却素子を形成した ことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/38 ,  H01L 35/32 ,  H01L 35/30 ,  H01L 35/34 ,  H01L 23/12

FI (5件)：

H01L23/38 ,  H01L35/32 A ,  H01L35/30 ,  H01L35/34 ,  H01L23/12 501P

Fターム (1件)：

5F136JA03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置、及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-205692   出願人：沖電気工業株式会社