特許
J-GLOBAL ID：200903001691932372

半導体装置の製法

発明者：
桑村 誠

桑村 誠 について

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水谷 昌紀

水谷 昌紀 について

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野呂 弘司

野呂 弘司 について


出願人/特許権者：
日東電工株式会社

日東電工株式会社 について


代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-058617
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260843
出願日： 1998年03月10日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】半導体素子と配線回路基板との空隙にエアーが混入することなく容易に封止樹脂層を形成することができ、しかもその樹脂封止作業が容易となる半導体装置の製法を提供する。【解決手段】配線回路基板1上に、下記の封止用樹脂シート(X1)10を載置した後、上記封止用樹脂シート(X1)10上に接続用電極部2′を有する半導体素子3を載置し、ついで、上記配線回路基板1に設けられた接続用電極部2と半導体素子3に設けられた接続用電極部2′とを加圧により当接させる。つぎに、上記封止用樹脂シート(X1)10を加熱溶融して上記配線回路基板1と半導体素子3との間の空隙に、上記溶融状態の封止用樹脂を充填し硬化させることにより上記空隙を樹脂封止して封止樹脂層を形成する。(X)上記半導体素子3および配線回路基板1のそれぞれに設けられた複数の接続用電極部2,2′が当接された状態における、上記半導体素子3と配線回路基板1の隙間の距離に対して50〜95%の厚みに設定された封止用樹脂シート。
請求項（抜粋）：
配線回路基板上に、複数の接続用電極部を介して半導体素子が搭載され、上記配線回路基板と半導体素子との間の空隙が封止樹脂層によって封止されてなる半導体装置の製法であって、上記封止樹脂層を、上記配線回路基板と半導体素子との間に下記に示す層状の固形樹脂(X)を介在させてこの固形樹脂を加圧溶融させることにより形成することを特徴とする半導体装置の製法。(X)上記加圧溶融の初期段階において複数の接続用電極部を介して半導体素子と配線回路基板とが当接された状態における、上記半導体素子と配線回路基板の隙間の距離に対して50〜95%の厚みに設定された層状の固形樹脂。
IPC (5件)：
H01L 21/56 ,  C08L 63/00 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (4件)：
H01L 21/56 R ,  C08L 63/00 B ,  H01L 23/28 Z ,  H01L 23/30 R
引用特許：
審査官引用 (4件)
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