特許

J-GLOBAL ID：200903001692137584

半導体装置

発明者： 北川 幸範 ,  田中 嗣治
出願人/特許権者： オムロン株式会社
代理人 (1件)： 難波 国英
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-120617
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293626
出願日： 1995年04月20日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：

【要約】【目的】 リードフレームのアイランド部の面積が小さくても、そこにボンディングされている半導体素子をシリコン樹脂の流出のない状態で確実にシリコン樹脂層で覆わせることができるようにする。【構成】 リードフレーム1に固着材料2によりボンディングされている半導体素子3の表面を覆うようにリードフレーム1のアイランド部1aに塗布形成するシリコン樹脂層5の周縁部に対応するリードフレーム部分にシリコン樹脂流出防止用の溝7を形成している。

請求項（抜粋）：

リードフレームに固着された半導体素子の表面を覆うように上記リードフレームにシリコン樹脂層を塗布形成し、このシリコン樹脂層を含めて半導体素子および該半導体素子固着リードフレーム部分に封止樹脂層を被覆形成してなる半導体装置において、上記シリコン樹脂層の周縁部に対応するリードフレーム部分にシリコン樹脂流出防止用の溝を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/52 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/50 ,  H01L 31/02

FI (6件)：

H01L 33/00 N ,  H01L 21/52 G ,  H01L 21/56 J ,  H01L 23/50 S ,  H01L 23/50 U ,  H01L 31/02 B