特許
J-GLOBAL ID：200903001693616990
液晶スイッチング素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-265933
公開番号（公開出願番号）：特開平8-129161
出願日： 1994年10月31日
公開日（公表日）： 1996年05月21日
要約：
【要約】【目的】 液晶分子の自発分極方向を反転させる際に、ドメイン生成を伴わず、かつ高速なスイッチング動作を実現する液晶スイッチング素子を提供する。【構成】 基板1及び基板2の間に強誘電性液晶層3があり、また、基板1の表面に対向電極5及び補助電極6が、基板2の表面に主電極4が貼着されている。なお、後に基板1と基板2との間に注入される強誘電性液晶分子が均一に配向するように、例えば、基板の表面を布で擦るラビング処理等の適当な処理を基板1及び基板2に施してから、基板1及び基板2を所定の位置に固定し貼り合わせる。また、強誘電性液晶層3は、SmC* 相を形成する強誘電性液晶分子、例えば、DOBAMBCを用いる。なお、強誘電性液晶層3の層構造は、図面に対して平行になるように配向させる。
請求項１：
強誘電性液晶分子に電圧を印加し、この液晶分子の自発分極方向を反転させてスイッチング動作を行う液晶スイッチング素子において、上記強誘電性液晶分子が均一な状態で配向した液晶層と、上記液晶層を挟む一対の電極と、上記一対の電極の一方の電極と同一面上に設けられた電極と、を有することを特徴とする液晶スイッチング素子。
IPC (3件)：
G02F 1/133 560
, G02F 1/141
, G09G 3/18
