特許
J-GLOBAL ID：200903001695229064
半導体ウエハの成膜方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-235234
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097157
出願日： 1994年09月29日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】 枚葉式プラズマCVD装置により半導体ウエハに成膜処理を施す時に生じるスティッキー現象を緩和し、下部電極から容易に、そして軽い力で半導体ウエハを剥離させ、搬送トラブルを防止することを目的とする。【構成】 この発明の半導体ウエハの成膜方法では、予めプロセスチャンバ4内にクリーニングプリコートを施し、その後に半導体ウエハSに正規の成膜処理を施す枚葉式プラズマCVD装置1による半導体ウエハの成膜方法において、前記プリコート時の前記チャンバ4内の真空度を前記正規の成膜処理時の真空度より高真空度にしてチャンバ4内の少なくとも下部電極5にプリコートを施し、下部電極5の表面に生成される薄膜の表面を粗面に仕上げるようにしている。
請求項（抜粋）：
予めプロセスチャンバ内にクリーニングプリコートを施し、その後に半導体ウエハに正規の成膜処理を施す枚葉式プラズマCVD装置による半導体ウエハの成膜方法において、前記クリーニングプリコート時の前記プロセスチャンバ内の真空度を前記正規の成膜処理時の真空度より高真空度にして前記プロセスチャンバ内の少なくとも下部電極にクリーニングプリコートを施すことを特徴とする半導体ウエハの成膜方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, H01L 21/31
