特許

J-GLOBAL ID：200903001698962080

半導体装置

発明者： 國久 武人 ,  信定 俊英 ,  八幡 和宏
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-122460
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319658
出願日： 2001年04月20日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：

【要約】【課題】 安価で精度の良い高周波用モジュールを提供することを目的とする。【解決手段】 金または白金または銅が拡散されたシリコン基板21と、シリコン基板21の第1主面上に形成された受動素子と、シリコン基板21の第1主面上に形成され、能動素子を有する半導体チップ32をフリップチップ実装するための電極27aとを形成する。

請求項（抜粋）：

金または白金または銅が拡散されたシリコン基板と、前記シリコン基板の第1主面上に形成された受動素子と、前記シリコン基板の第1主面上に形成され、能動素子を有する半導体チップをフリップチップ実装するための電極とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 25/00 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/822 ,  H01L 23/12 301 ,  H01L 23/14 ,  H01L 27/04 ,  H01L 49/02

FI (6件)：

H01L 25/00 B ,  H01L 23/12 301 C ,  H01L 49/02 ,  H01L 23/14 S ,  H01L 21/88 J ,  H01L 27/04 L

Fターム (22件)：

5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033HH28 ,  5F033KK13 ,  5F033KK18 ,  5F033MM30 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ80 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS15 ,  5F033VV07 ,  5F033VV08 ,  5F033VV09 ,  5F033VV10 ,  5F033WW00 ,  5F033WW02 ,  5F033XX28 ,  5F038AZ05 ,  5F038BE07 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ20