特許
J-GLOBAL ID:200903001707822416
レーザダイオードアレイ
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
中島 淳 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-293489
公開番号(公開出願番号):特開平8-023137
出願日: 1994年11月28日
公開日(公表日): 1996年01月23日
要約:
【要約】【目的】 モノリシックなマルチ波長デュアル偏光レーザダイオードアレイを実現する。【構成】 図2の左側および右側の活性層は、障壁層により分離された複数の量子ウェルから構成されることが可能であり、その場合各量子ウェルは異なる波長でレーザ動作が可能であり、一方の側の量子ウェルはTEモードに対して最小透過電流を有し、他方の量子ウェルはTMモードに対して最小透過電流を有する。従って量子ウェルを有する活性層を含む図2の構成によりマルチ波長デュアル偏光レーザダイオードアレイがモノリシック構造で実現される。
請求項(抜粋):
デュアル波長、デュアル偏光レーザダイオードアレイであって、第1および第2の並んだ活性領域を有する共通な半導体の基体であって、前記第1の活性領域は、第1または第2の異なる波長でTE偏光光およびTM偏光光をそれぞれ放射可能な第1および第2の横方向に隔てられたゾーンを有し、前記第2の活性領域は、第1または第2の異なる波長でTE偏光光およびTM偏光光をそれぞれ放射可能な第3および第4の横方向に隔てられたゾーンを有する、半導体基体と、ダイオードレーザアレイの前記ゾーン内に個々にキャリアを誘起して各ゾーンが独立に光の放射を行うようにするために基体に接続される電極と、レーザ放射のための少なくとも1つの光学的キャビティを基体と共に形成する光学的反射器と、前記第1または前記第2の波長でTE偏光およびTM偏光光の放射をそれぞれ前記第1および第2のゾーンに行わせるために第1の活性領域の第1および第2のゾーンに接続される偏光選択手段と、前記第1または前記第2の波長でTE偏光およびTM偏光光の放射をそれぞれ前記第3および第4のゾーンに行わせるために第2の活性領域の第3および第4のゾーンに接続される偏光選択手段と、を含むレーザダイオードアレイ。
引用特許:
審査官引用 (12件)
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特開平1-257386
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特開平3-184388
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特開平4-245494
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特開平2-260482
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特開平4-294590
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半導体光集積素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-042831
出願人:株式会社日立製作所
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特開平4-027183
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特開平4-233783
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特開平4-233292
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特開平4-346485
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多ビーム半導体量子井戸レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-162990
出願人:ゼロックスコーポレイション
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特許第3251386号
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