特許

J-GLOBAL ID：200903001708283047

半導体装置の製造方法

発明者： 山中 英雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-303450
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133669
出願日： 1998年10月26日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】 はんだバンプを容易に、しかも強固な接合で確実に形成することができる、半導体装置の製造方法を提供が望まれている。【解決手段】 基板1上に形成された半導体チップのパッド部の電極部2の表面をプラズマクリーニングし、次いで、はんだ溶融液中にて電極部2に超音波を印加してこの電極部2表面の酸化膜等を除去し、電極部2表面上に直接はんだバンプ6を形成する。この後、はんだバンプを露出した状態に半導体チップを樹脂保護膜あるいはモールド成形樹脂で封止し、チップサイズの半導体装置(CSP)とする。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された半導体チップのパッド部の電極部の表面をプラズマクリーニングし、次いで、はんだ溶融液中にて前記電極部に超音波を印加して該電極部表面の酸化膜を除去し、該電極部表面上に直接はんだバンプを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 23/12

FI (6件)：

H01L 21/92 604 D ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/28 B ,  H01L 21/56 E ,  H01L 21/88 T ,  H01L 23/12 L

Fターム (46件)：

4M104BB03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB36 ,  4M104DD00 ,  4M104DD17 ,  4M104DD23 ,  4M104DD31 ,  4M104DD77 ,  4M104DD79 ,  4M104EE06 ,  4M104EE12 ,  4M104EE18 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104GG13 ,  4M104HH09 ,  5F033HH00 ,  5F033JJ01 ,  5F033KK00 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK12 ,  5F033MM05 ,  5F033MM17 ,  5F033PP00 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ69 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR06 ,  5F033RR22 ,  5F033RR23 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033VV07 ,  5F033WW00 ,  5F033XX12 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34 ,  5F044QQ04 ,  5F044RR18 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA10 ,  5F061CB13