特許

J-GLOBAL ID：200903001710953700

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 松岡 富造 ,  竹田 守 ,  小林 郁典
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-335720
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188419
出願日： 1992年12月16日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、下層配線と上層配線間の短絡を効果的に防止した多層配線を持つ薄膜トランジスタを得る製造法を提供する。【構成】 アルミニウム系の金属薄膜の上に、他の陽極酸化可能な金属を積層し、陽極酸化可能な金属の全部とアルミニウム系の金属薄膜の表面の一部を陽極酸化して、薄膜トランジスタのゲート電極とゲート絶縁体層の一部分を構成する。

請求項（抜粋）：

透光性絶縁基板上に、導電材料を選択的に被着形成した第一の導電層と、前記基板表面の露出面及び前記第一の導電層を覆う絶縁体層と、前記絶縁体層上の特定領域を覆う半導体層と、前記半導体層と一部重なり合う一対の第二の導電層と、前記第二の一対の導電層の一方と電気的に接触する透明導電層から少なくともなる薄膜トランジスタの製造において、まずアルミニウム系の金属薄膜とその上にアルミニウム系以外の陽極酸化可能な金属薄膜を積層した2層膜を形成し、陽極酸化可能な金属薄膜の全部とアルミニウム系薄膜の一部を陽極酸化して、前記第一の導電層と前記絶縁体層の一部を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。