特許
J-GLOBAL ID：200903001711792076
半導体ウエーハ平面化方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-276855
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251409
出願日： 1992年10月15日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、半導体ウエーハを機械的に平面化した後に、研磨用スラリを除去するプロセスを提供することである。【構成】 表面活性剤を含む脱イオン水を研磨用パッドに注いで機械的に平面化した半導体ウエーハをすすぎ洗いする段階と、半導体ウエーハに脱イオン水/表面活性剤混合体を注ぎつつ研磨用パッドに下向きの力を加えて半導体ウエーハの平面化された表面を研磨する段階とを具備する。
請求項（抜粋）：
半導体ウエーハの機械的平面化の後のスラリ研磨粒子残留物を除去する方法であって、表面活性剤を含む脱イオン水を研磨用パッドに注いですすぎ洗いする段階と、このパッド及び脱イオン水/表面活性剤混合体を用いて半導体ウエーハの平面化された表面を研磨する段階とを具備することを特徴とする方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, B24B 37/04
