特許
J-GLOBAL ID:200903001711883586

積層スパイラルインダクタならびにそのインダクタンス調整方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-129792
公開番号(公開出願番号):特開平9-320849
出願日: 1996年05月24日
公開日(公表日): 1997年12月12日
要約:
【要約】【課題】 従来の積層スパイラルインダクタは、積層ずれによりインダクタンスが要求値と大きく異なる値となり、その値を調整することもできなかった。【解決手段】 上面にスパイラル状のパターン層7が形成され、下面に下部グランド層8が形成された下部誘電体層6と、下部誘電体層6の上面に積層された上部誘電体層9と、上部誘電体層9の上面に形成され、スパイラル状のパターン層7と対応する領域に開口部11を有する上部グランド層10とを具備する積層スパイラルインダクタ5とすることにより、インダクタンス値のずれに応じて開口部11の開口周辺の上部グランド層10を除去してインダクタンス調整を容易に行なうことができる。
請求項(抜粋):
上面にスパイラル状のパターン層が形成され、下面に下部グランド層が形成された下部誘電体層と、該下部誘電体層の上面に積層された上部誘電体層と、上部誘電体層の上面に形成され、前記スパイラル状のパターン層と対応する領域に開口部を有する上部グランド層とを具備することを特徴とする積層スパイラルインダクタ。
IPC (2件):
H01F 17/00 ,  H01F 41/00
FI (2件):
H01F 17/00 B ,  H01F 41/00 G

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