特許
J-GLOBAL ID：200903001717516828
半導体パッケージの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-201585
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050880
出願日： 1996年07月31日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】 環状のダム枠11と、ソフト金メッキ層16を表面に有するボンディング回路12と、ハード金メッキ層17を表面に有するコンタクト回路13と、基板10の表裏を接続するスルホール部15と、スルホールランド14とを備える半導体パッケージの製造方法であって、スルホール部15のメッキ厚みのばらつきが優れ、かつ、スルホールランド14のメッキ厚みが過度に厚くなりにくい製造方法を提供する。【解決手段】 [ア]コンタクト回路13の一部となる導体、スルホールランド14の一部となる導体及びスルホール部15の一部となる導体の表面にハード金メッキ層17を同時に形成する工程と、[イ]基板10の両表面のうちダム枠11又はダム枠の一部となる導体21の内側を除く表面と、スルホール部15の表面をマスクした後、ソフト金メッキ層16を形成する工程を有する。
請求項（抜粋）：
基板(10)の一方の面に突出して形成された環状のダム枠(11)と、そのダム枠(11)を形成した面のうち、ダム枠(11)の環の内側に形成され、ボンディングワイヤーと接着を予定する第一の金メッキ層(16)を表面に有するボンディング回路(12)と、基板(10)の他方の面に形成され、電子機器のコネクタ手段と機械的に、かつ、電気的に着脱可能に接続を予定する第二の金メッキ層(17)を表面に有するコンタクト回路(13)と、基板(10)に貫通して形成され、基板(10)の表裏を電気的に接続する円筒状のスルホール部(15)と、上記ダム枠(11)を形成した面のうち、ダム枠(11)の環の外側に形成され、スルホール部(15)と接するスルホールランド(14)と、を備える半導体パッケージの製造方法であって、下記の[ア]及び[イ]の工程を有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。[ア]コンタクト回路の一部となる導体(23)、スルホールランドの一部となる導体(24)及びスルホール部の一部となる導体(25)の表面に第二の金メッキ層(17)を同時に形成して、コンタクト回路(13)、スルホールランド(14)及びスルホール部(15)を製造する工程と、[イ]基板(10)の両表面のうちダム枠(11)又はダム枠の一部となる導体(21)の内側を除く表面と、スルホール部(15)の表面をマスクした後、第一の金メッキ層(16)を形成して、ボンディング回路(12)を製造する工程。
FI (2件)：
H01L 23/12 F
, H01L 23/12 W
