特許
J-GLOBAL ID：200903001723225886
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 宜喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-132431
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323489
出願日： 1999年05月13日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】 厚いエキタピシャル層の基板であっても、寄生コレクタ抵抗の小さい高周波トランジスタが形成でき、高耐圧トランジスタを同一基板上に形成できるようにすること。【解決手段】 第1の逆導電型埋め込みコレクタ層21より上方にせり上がる第2の逆導電型埋め込みコレクタ層22を形成する。第2の逆導電型埋め込みコレクタ層22に接する位置に、逆導電型ペデスタルコレクタ層102と一導電型ベース層8とを形成する。こうすると、カーク効果を抑制でき、エピタキシャルコレクタ層の膜厚を大きくすることができる。
請求項１：
一導電型半導体基体に形成された逆導電型埋め込みコレクタ層と、前記逆導電型埋め込みコレクタ層の上部に形成された逆導電型コレクタ層と、前記逆導電型コレクタ層の上部に形成された一導電型ベース層と、前記一導電型ベース層の直下に形成された逆導電型ペデスタルコレクタ層と、を有する半導体装置において、前記逆導電型埋め込みコレクタ層は、2種類以上の逆導電型不純物拡散層からなり、かつ少なくともその内の1つの逆導電型不純物拡散層が前記逆導電型ペデスタルコレクタ層と接する位置に配置されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
Fターム (22件)：
5F003AP00
, 5F003AP06
, 5F003BA96
, 5F003BB06
, 5F003BB07
, 5F003BB08
, 5F003BC01
, 5F003BC02
, 5F003BC05
, 5F003BC08
, 5F003BE07
, 5F003BE08
, 5F003BF03
, 5F003BG03
, 5F003BP06
, 5F003BP08
, 5F003BP09
, 5F003BP23
, 5F003BP31
, 5F003BP41
, 5F003BS06
, 5F003BS08
