特許
J-GLOBAL ID：200903001732287045
プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-058833
公開番号（公開出願番号）：特開2003-257935
出願日： 2002年03月05日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：
【要約】【課題】半導体ウエハをプラズマによりエッチングするときにウエハの周縁部領域とそれよりも内側領域との間でエッチング速度の差が大きく、しかもその差がプロセス圧力により変動し、プロセス圧力のマージンが小さい。【解決手段】載置台上のウエハを取り囲むように設けられた導電性の第1のリングにおいて、ウエハ周縁部領域のプラズマ密度、プラズマ密度の均一性のプロセス圧力による影響が、ウエハの周縁から前記リングの外周縁までの距離に依存していることに着目ウエハの周縁から前記リングの外周縁までの距離を22.5mm〜30mmに設定する。
請求項（抜粋）：
載置台が内部に設けられた導電性の処理容器と、前記載置台上の被処理基板を取り囲むように設けられた導電性の第1のリングと、を備え、前記載置台上に載置された被処理基板をプラズマにより処理するプラズマ処理装置において、前記被処理基板の周縁から第1のリングの外周縁までの距離を22.5mm〜30mmに設定することを特徴とするプラズマ処理装置。
Fターム (11件)：
5F004AA02
, 5F004BA04
, 5F004BA06
, 5F004BA09
, 5F004BB11
, 5F004BB18
, 5F004BB22
, 5F004BC08
, 5F004BD03
, 5F004CA05
, 5F004CA09
