特許
J-GLOBAL ID：200903001733956021
MOSFET及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-082610
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284722
出願日： 1997年04月01日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：
【要約】【課題】 キャップSi層にはチャネルが形成されることがなく、しかも、トランジスタの閾値電圧が変動することのない安定なMOSFET及びその製造方法を提供する。【解決手段】 MOSFETにおいて、半導体基板のアクティブ領域に形成されるボロンドープトSi膜23、バッファSi膜24、SiGe膜25とそれらの側部に形成されるソース領域32・ドレイン領域33と、前記SiGe膜25上のみに形成されるキャップSi層31、SiO2 ゲート酸化膜27、ゲート電極30とを備え、キャップSi層31がソース領域32・ドレイン領域33と分離されるようにした。
請求項（抜粋）：
(a)半導体基板のアクティブ領域に形成される不純物がドープされたSi膜とバッファSi膜、SiGe膜とそれらの側部に形成される不純物がドープされたソース・ドレイン領域と、(b)前記ソース・ドレイン領域と分離され、SiGe膜上に形成されるキャップSi層、ゲート酸化膜、ゲート電極とを有することを特徴とするMOSFET。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 B
, H01L 29/78 301 H
