特許
J-GLOBAL ID：200903001740598300

発光装置およびその作製方法

発明者：
坂倉 真之

坂倉 真之 について

, 
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-087092
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289344
出願日： 2001年03月26日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：
【要約】【課題】 第1の電極を形成する絶縁表面が平坦でなく、第1の電極の膜厚程度又はそれ以上の凹凸や異物があると、第1に電極は均一に形成されず、一つの画素内で、発光しない点(黒点として観測されるのでダークスポットという)が発生したり、ひいては第1の電極と第2の電極とが上下で短絡してしまうという不良が発生してしまう。【解決手段】 本発明の発光装置の構成は、絶縁表面上に形成された第1の電極と、第1の電極の端部を覆いテーパー状の縁を有する第1の絶縁層と、第1の電極及び前記第1の絶縁層上に形成され、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンから選ばれた一種又は複数種から成る第2の絶縁層と、第2の絶縁層上に形成された有機化合物層と、有機化合物層上に形成された第2の電極とを有している。
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に形成された第1の電極と、前記第1の電極の端部を覆いテーパー状の縁を有する第1の絶縁層と、前記第1の電極及び前記第1の絶縁層上に形成され、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンから選ばれた一種又は複数種から成る第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上に形成された有機化合物層と、前記有機化合物層上に形成された第2の電極と、を有し、前記第1の電極と前記有機化合物層とがトンネル接合していることを特徴とする発光装置。
IPC (6件)：
H05B 33/10 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22
FI (8件)：
H05B 33/10 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  H05B 33/12 B ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/22 Z ,  H05B 33/22 D ,  H05B 33/22 B
Fターム (43件)：
3K007AB04 ,  3K007AB05 ,  3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  5C094AA07 ,  5C094AA08 ,  5C094AA21 ,  5C094AA31 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094AA48 ,  5C094BA03 ,  5C094BA12 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094CA24 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094DB02 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA10 ,  5C094EB02 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB01 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5C094HA08 ,  5C094HA10 ,  5C094JA08
引用特許：
出願人引用 (8件)
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