特許

J-GLOBAL ID：200903001741574235

酸化シリコン膜の形成方法

発明者： 光田 良枝 ,  中東 孝浩 ,  桑原 創
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 山本 惠二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-194765
公開番号（公開出願番号）：特開平6-287755
出願日： 1992年06月29日
公開日（公表日）： 1994年10月11日
要約：

【要約】【目的】 基板表面に形成する酸化シリコン膜の平坦度を向上させることができる方法を提供する。【構成】 高周波電源18から電極6に対して次のような高周波電力を供給する。即ち、元となる高周波信号に対して、それを断続させる第1の変調と、この第1の変調よりも短い周期で断続させる第2の変調と、この第2の変調よりも短い周期で断続させる第3の変調とをかけた高周波電力を供給する。

請求項（抜粋）：

電極間の高周波放電によってプラズマを発生させるプラズマCVD法によって基板上に酸化シリコン膜を形成する方法において、前記電極に、元となる高周波信号に対して、それを断続させる第1の変調と、この第1の変調よりも短い周期で断続させる第2の変調と、この第2の周期よりも短い周期で断続させる第3の変調とをかけた高周波電力を供給することを特徴とする酸化シリコン膜の形成方法。

IPC (4件)：

C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-188783
  
• 特開昭63-042115