特許

J-GLOBAL ID：200903001743569271

有機薄膜トランジスタ基板とその製造方法

発明者： 宋 根 圭 ,  趙 承 奐 ,  金 保 成 ,  金 泳 敏 ,  愼 重 漢
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (2件)： 小野 由己男 ,  稲積 朋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-182465
公開番号（公開出願番号）：特開2008-022008
出願日： 2007年07月11日
公開日（公表日）： 2008年01月31日
要約：

【課題】本発明は有機薄膜トランジスタ基板とその製造方法に関し、薄膜トランジスタを容易に製造することができる有機薄膜トランジスタ基板及びその製造方法に関する。【解決手段】本発明による有機薄膜トランジスタ基板は基板上に形成されるゲートラインと、前記ゲートラインと同一の平面上に形成される画素電極と、前記ゲートラインと絶縁されて形成されるデータラインと、前記ゲートラインと接続するゲート電極、前記ゲートラインと絶縁され前記データラインと接続するソース電極、前記ゲート電極と絶縁され前記画素電極と接続するドレイン電極、前記ソース及びドレイン電極と接触する有機半導体層を含む有機薄膜トランジスタと、前記ゲートライン及びゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、を含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上に形成されるゲートラインと、 前記ゲートラインと同一の平面上に形成される画素電極と、 前記ゲートラインと絶縁され形成されるデータラインと、 前記ゲートラインと接続するゲート電極、前記ゲートラインと絶縁され前記データラインと接続するソース電極、前記ゲート電極と絶縁され前記画素電極と接続するドレイン電極、前記ソース及びドレイン電極と接触する有機半導体層を含む有機薄膜トランジスタと、 前記ゲートライン及び前記ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、 を含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタ基板。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  G02F 1/136

FI (5件)：

H01L29/78 612D ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/28 100A ,  G02F1/1368

Fターム (50件)：

2H092GA11 ,  2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA10 ,  2H092MA13 ,  2H092MA15 ,  2H092MA17 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092PA01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HM18 ,  5F110NN05 ,  5F110NN12 ,  5F110NN27 ,  5F110NN36 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ08