特許
J-GLOBAL ID：200903001744388645
チップサイズ半導体パッケージの製造方法およびそれに 用いるリードフレーム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
笹島 富二雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-119048
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050920
出願日： 1997年05月09日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】チップサイズ半導体パッケージの製造を容易にする。【解決手段】各々が表面に複数のパッド21aを有し、分離線22よって画成される複数の半導体チップ21が形成されたウェハ20の上面に、分離線22対応した形状の複数のリード支持バー31と、基端部がリード支持バー31に接続されて先端部がリード支持バー31に囲まれた面内に配置された複数のリード32とから形成されるリードフレーム30を接着し、リード32とパッド21aとをワイヤーボンディングする。そして、リード32の基端側上面を露出させて、ウェハ20の上下面をモールディングし、露出された各リード32の基端側上面に電導性金属を鍍金した後、ウェハ20およびリードフレーム30を切断してチップサイズ半導体パッケージを製造する。
請求項（抜粋）：
各々が表面に複数のパッドを有し、分離線によって画成される複数の半導体チップが形成されたウェハの上面に、前記分離線に対応した形状に組み合わされた複数のリード支持バーと、基端部が前記リード支持バーに接続されて先端部が前記リード支持バーに囲まれた面内に配置された複数のリードとから形成されるリードフレームを、前記分離線に前記リード支持バーを対応させて接着する接合工程と、前記リードと前記パッドとを金属ワイヤーにより夫々接続するワイヤーボンディング工程と、前記リードの基端側上面を露出させて、前記金属ワイヤ及び前記リードの先端部を含む前記ウェハ上面と、前記ウェハ下面とを樹脂により密封成形するモールディング工程と、前記露出された各リードの基端側上面に電導性金属を鍍金する鍍金工程と、前記ウェハおよび前記リードフレームを切断して、前記各半導体チップを分離する切断工程と、を順次行うチップサイズ半導体パッケージ製造方法。
FI (2件)：
H01L 23/50 L
, H01L 23/50 R
