特許

J-GLOBAL ID：200903001744653705

半導体装置の製造方法

発明者： 倉冨 文司 ,  河田 洋一 ,  井村 健一 ,  鈴木 一成
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-020979
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231741
出願日： 2001年01月30日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】 一回の樹脂注入による製品取得数を増加させる。【解決手段】 基板の一方の面を樹脂封止する半導体装置の製造方法において、前記樹脂封止に用いる上金型と下金型との双方に、樹脂の注入されるキャビティを設け、2枚の基板の樹脂封止の行なわれない他方の面を互いに合わせて重ねて、上金型と下金型との間にセットし、前記上金型と下金型との双方のキャビティに封止樹脂を注入する。こうした構成によって、既存の設備を略そのまま用いて、一回の樹脂注入で2倍の半導体装置を樹脂封止することが可能となる。

請求項（抜粋）：

基板の一方の面を樹脂封止する半導体装置の製造方法において、前記樹脂封止に用いる上金型と下金型との双方に、樹脂の注入されるキャビティを設け、2枚の基板の樹脂封止の行なわれない他方の面を互いに合わせて重ねて、上金型と下金型との間にセットし、前記上金型と下金型との双方のキャビティに封止樹脂を注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/56 ,  B29C 45/14 ,  B29L 31:34

FI (3件)：

H01L 21/56 T ,  B29C 45/14 ,  B29L 31:34

Fターム (10件)：

4F206AH33 ,  4F206JA07 ,  4F206JB17 ,  4F206JQ81 ,  5F061AA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA21 ,  5F061CB13 ,  5F061DA06 ,  5F061EA02