特許

J-GLOBAL ID：200903001753713281

アニール保護膜

発明者： 斎藤 吉広
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-003122
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211713
出願日： 1994年01月17日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】 高温下のアニール処理において、熱的安定性、緻密性、密着性、および耐クラック性に優れるとともに、基板構成物質の膜中への拡散の少なく、注入種の活性化率も維持できるアニール保護膜を提供する。【構成】 本発明のアニール保護膜は、屈折率が1.80〜1.85という窒化シリコン膜であり、屈折率が窒化シリコン膜よりも高い窒素含有量が相対的大きく、Gaが比較的入り込み易い構造である。この結果、GaAs基板からのGaの外部拡散量を確保でき、イオン注入された注入種(例えば、シリコン)の活性化率を確保することができるともに、GaAs基板からのAs抜けを効率的に阻止する。また、この屈折率範囲で窒化シリコン膜の厚さが50nmから100nmであり、800°C〜1000°Cの環境下においても膜に亀裂が発生しない。

請求項（抜粋）：

GaAsから成る層へのイオン注入後のアニール処理にあたって使用されるアニール保護膜であって、窒化シリコンから実質的に成り、屈折率が1.80から1.85までの範囲内であり、且つ、厚さが50nmから100nmまでの範囲内である、ことを特徴とするアニール保護膜。

IPC (3件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/324

FI (2件)：

H01L 21/265 A ,  H01L 21/265 C