特許

J-GLOBAL ID：200903001754811872

反応膜生成方法および反応膜生成装置

発明者： 猪飼 博
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 古谷 栄男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-056961
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252276
出願日： 1999年03月04日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェハにおいて、自然酸化膜の膜厚のばらつきを抑制し、品質のばらつきをなくす反応膜の生成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 窒素がインナーチューブ内に充填され、インナーチューブ内が窒素飽和雰囲気となっても(S3)、インナーチューブに窒素の送気を続ける。この時に、半導体ウェハを設置した石英ボートをインナーチューブ内へ搬入する(S5)。このように窒素の送気を続けることによって、窒素飽和雰囲気がインナーチューブの開口部113から外部に流出する。この流出した窒素飽和雰囲気が、半導体ウェハ間の隙間に存在する空気を追出す。これにより、半導体ウェハ表面における酸化膜を生成を抑制することができる。

請求項１：

反応室に搬入された半導体ウェハに、反応膜形成流体を供給して、熱反応によって半導体ウェハ表面に反応膜を形成する反応膜の生成方法において、半導体ウェハを反応室に搬入する際にも、反応室に反応膜形成流体を供給することにより、半導体ウェハ表面近傍の空気を取り除く、ことを特徴とする反応膜生成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/318 B ,  H01L 21/31 B

Fターム (21件)：

5F045AA06 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AE01 ,  5F045DP19 ,  5F045EC02 ,  5F045EE04 ,  5F045EE14 ,  5F045EN02 ,  5F045EN04 ,  5F045EN05 ,  5F058BA06 ,  5F058BC08 ,  5F058BE10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01