特許

J-GLOBAL ID：200903001755730990

光半導体装置

発明者： 青木 豊 ,  谷川 聡
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-133418
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063240
出願日： 1991年05月08日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【構成】 半導体素子の封止樹脂層が、透明性エポキシ樹脂を主成分とする透明性エポキシ樹脂組成物硬化体と、この硬化体中に硬化体全体の10〜70重量%の割合で分散された粒子径0.1μm以下のシリカ微粒子とから構成されている。【効果】 封止樹脂層が光透過性に優れ、しかも内部応力が小さくなるため、例えばLEDではその輝度劣化の抑制が効果的になされ、信頼性が極めて高くなる。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、これを封止する封止樹脂層とを備え、上記封止樹脂層が、透明性エポキシ樹脂を主成分とする透明性エポキシ樹脂組成物硬化体と、この硬化体中に硬化体全体の10〜70重量%の割合で分散された粒子径0.1μm以下のシリカ微粒子とから構成されていることを特徴とする光半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-001068
  
• 特開昭60-007153
  
• 特開昭61-051853
  
• 特開平1-131088