特許
J-GLOBAL ID：200903001763258965
シリコン酸化膜形成装置及びシリコン酸化膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-159606
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354516
出願日： 1998年06月08日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】シリコン酸化膜形成装置を構成する金属部材が水分によって腐食されることがなく、また、シリコン酸化膜の膜厚の面内不均一化を引き起こすといった問題が生じることの無いシリコン酸化膜形成方法を提供する。【解決手段】シリコン酸化膜形成方法においては、処理室10、及び該処理室10内で水蒸気が結露することを防止し、あるいは又、処理室内で結露した水を蒸発させる結露防止・蒸発手段40を備えたシリコン酸化膜形成装置を用い、処理室10にシリコン層を有する基体50を搬入し、処理室10に水蒸気を導入してシリコン層表面を熱酸化した後、処理室10内で水蒸気が結露していない状態で、あるいは又、処理室10内で結露した水を蒸発させた状態で、基体50を処理室10から搬出する。
請求項（抜粋）：
処理室を備え、該処理室に水蒸気を導入してシリコン層表面を熱酸化するシリコン酸化膜形成装置であって、処理室内で水蒸気が結露することを防止し、あるいは又、処理室内で結露した水を蒸発させる結露防止・蒸発手段を備えていることを特徴とするシリコン酸化膜形成装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 E
, H01L 21/316 S
