特許
J-GLOBAL ID：200903001770772836
電子放出素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田治米 登 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-156788
公開番号（公開出願番号）：特開平8-329832
出願日： 1995年05月30日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【目的】 共通シリコン基板上に複数の電子放出素子を設けた場合でも、エッチングによりエミッタ電極を形成する際のエッチング深さをすべてのエミッタ電極について均一となるようにする。【構成】 シリコン基板1、エミッタ配線層2、絶縁層3及びゲート電極4が順次積層され、ゲート電極4と絶縁層3とエミッタ配線層2にはシリコン基板1に達する開口部Aが設けられ、その開口部A内のシリコン基板1にコーン型のシリコンエミッタ電極5がゲート電極4に接触しないように設けられてなる電界放射型の電子放出素子において、エミッタ配線層2をシリコン基板1にイオン注入法により高濃度でドーパントが注入された高ドープ領域層から構成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板、エミッタ配線層、絶縁層及びゲート電極が順次積層され、該ゲート電極と絶縁層とエミッタ配線層とにはシリコン基板に達する開口部が設けられ、その開口部内のシリコン基板にコーン型シリコンエミッタ電極がゲート電極に接触しないように設けられてなる電界放射型の電子放出素子において、エミッタ配線層がシリコン基板にイオン注入法により高濃度でドーパントが注入された高ドープ領域層であることを特徴とする電子放出素子。
IPC (3件)：
H01J 1/30
, G09F 9/313
, H01J 9/02
H01J 1/30 B
, G09F 9/313 E
, H01J 9/02 B
