特許
J-GLOBAL ID：200903001776532454
熱電変換素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-097976
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021518
出願日： 1992年04月17日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 小数キャリアの悪影響を抑制するとともに、半導体と金属の接合による障壁電位差を大きくして、ゼーベック係数を向上した熱電変換素子を提供することを目的とする。【構成】 第1の半導体物質(12,13)の冷却側の表面に、その第1の半導体物質(12,13)よりも大きなバンドギャップを有する第2の半導体物質を主体とする薄層(14,15)を形成し、その第1の半導体物質(12,13)と第2の半導体物質主体の薄層(14,15)にそれぞれオーミック接触の得られる導体金属(9,10,11)を接合したことを特徴とするものである。
請求項（抜粋）：
第1の半導体物質の冷却側の表面に、その第1の半導体物質よりも大きなバンドギャップを有する第2の半導体物質を主体とする薄層を形成し、その第1の半導体物質と第2の半導体物質主体の薄層にそれぞれオーミック接触の得られる導体金属を接合したことを特徴とする熱電変換素子。
IPC (2件)：
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