特許
J-GLOBAL ID：200903001778809810
:半導体セラミックを用いたイオン風発生装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-031631
公開番号（公開出願番号）：特開2007-188852
出願日： 2006年01月11日
公開日（公表日）： 2007年07月26日
要約：
【課題】 従来のイオン風発生装置では大きな電圧を印加出来ないために風量が不足し実用には限界があった。またオゾンが多く発生するという欠点があり、さらに電極の破損や汚損が避けられないという課題があった。【解決手段】 電極を炭化硅素や炭化硅素と窒化硅素の混晶の半導体で構成することにより放電電圧を大きく取ることが出来、イオン風量を多く発生させることが出来る。さらに電極の電子によるエッチング破損を防ぐことが出来、放電電極の放電端が複数の尖頭で設けられていることによりオゾンの発生量を低減出来る。また電極が半導体であるので通電によるジュ-ル熱で電極を加熱クリ-ニング出来、常に安定したイオン風の発生装置を提供出来る。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
放電電極1と対向電極2の素材が炭化珪素かつ/または炭化珪素と窒化珪素の混晶の半導体で構成されたイオン風発生装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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