特許

J-GLOBAL ID：200903001782214316

真空プラズマ処理装置

発明者： 菊地 正志 ,  池田 均 ,  大園 雅
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-025850
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203986
出願日： 1995年01月20日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】基板の交換時間を短縮して、装置全体の作業効率を向上することの可能な真空プラズマ処理装置を提供する。【構成】基板を数段に収容した仕込取出室、伸縮および回転自在な搬送アーム7を配設した搬送室4、基板を真空プラズマ処理するプロセス室の順序で連設し、搬送室内の搬送アームのハンド8で基板を、仕込取出室とプロセス室との間で搬送する真空プラズマ処理装置において、搬送アームのハンドは、上下方向あるいは左右方向に基板を間隔をおいて載せことの可能な多段な構成にすると共に、プロセス室は、搬送アームのハンドの多段な構成ごとに載せた基板をそれぞれ独立して支持する、上下方向に移動自在な複数の支持ピンを備える。

請求項（抜粋）：

基板を数段に収容した仕込取出室、伸縮および回転自在な搬送アームを配設した搬送室、基板を真空プラズマ処理するプロセス室の順序で連設し、搬送室内の搬送アームのハンドで基板を、仕込取出室とプロセス室との間で搬送する真空プラズマ処理装置において、前記搬送アームのハンドは、上下方向あるいは左右方向に基板を間隔をおいて載せることの可能な多段な構成にすると共に、前記プロセス室は、前記搬送アームのハンドの多段な構成ごとに載せた基板をそれぞれ独立して支持する、上下方向に移動自在な複数の支持ピンを備えたことを特徴とする真空プラズマ処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/3065

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体ウエハ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-296091   出願人：富士電機株式会社
• 特開平4-304372
  
• 特開平4-304372