特許

J-GLOBAL ID：200903001786308030

シリコンウエーハ及びその製造方法

発明者： 林 健郎 ,  辛 平 ,  竹田 隆二 ,  吉川 淳 ,  茶木 勝弘
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 田辺 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-084524
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264549
出願日： 1995年03月17日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 無欠陥層であるDZ層を備え、実質的にスリップ欠陥が無いシリコンウエーハを効率良く低コストで製造する。【構成】 単結晶シリコンインゴットから形成したウエーハを用い、800〜1000°Cの温度範囲において15〜1000°C/minの昇温速度で昇温する初期昇温工程と、1000〜1300°Cの温度範囲において低速で昇温する徐昇温工程と、1100〜1300°Cの温度範囲において5分間以上滞在させる滞在保持工程を行うことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。前記製造方法によって製造され、20nm以上の大きさの酸素析出物(BMD)密度が103 個/cm3 以下である無欠陥層(DZ層)を、少なくとも3μm以上の肉厚でウエーハ表面に形成したことを特徴とするシリコンウエーハ

請求項（抜粋）：

単結晶シリコンインゴットから形成したウエーハを用い、800〜1000°Cの温度範囲において15〜1000°C/minの昇温速度で昇温する初期昇温工程と、1000〜1300°Cの温度範囲において低速で昇温する徐昇温工程と、1100〜1300°Cの温度範囲において5分間以上滞在させる滞在保持工程を行うことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 311 ,  H01L 21/324

FI (4件)：

H01L 21/322 Y ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 311 A ,  H01L 21/324 D

引用特許：

審査官引用 (1件)

• シリコンウエハの製造方法およびシリコンウエハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-083558   出願人：東芝セラミックス株式会社