改良された研磨パッド、及び、これに関連する方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：津国肇 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-594606
公開番号（公開出願番号）：特表2002-535843
出願日： 2000年01月21日
公開日（公表日）： 2002年10月22日
要約：

【要約】この発明は、半導体素子等の製作において有用な改良された研磨パッドに関する。本発明のパッドは、有用な親水性研磨材を有するものであり、大抵の場合の予測性と研磨性能を改善できるように十分に薄く構成されている。

請求項（抜粋）：

半導体素子又はその未完成品の製作において有用な基体の研磨方法であって、該方法は: 基体と薄いパッドの間に流体を存在させ、該薄いパッドは研磨層を有し、該研磨層は更に研磨表面を有すること; 該研磨表面と該基体表面を相互に動かし、該流体又は追加の流体が2つの表面の間に維持されるようにして、2つの表面を相互に近づける力を加えること、但し、該流体が両表面の平均して少なくとも50%を相互に接触させないこと; 該両表面に25ポンド/平方吋より少ない均一な力を適用し、且つ研磨表面に5ミクロン以内の位置差が生ずる圧縮を起こすように、両表面を相互に近づける力を加えて、これにより、該研磨表面が、該基体表面の主要部分に平行な、平坦形状を呈するようにすること、そして、該研磨表面は複数のナノレベルの表面粗子を有すること; 前記研磨層は1ミリメートルに等しいか、それより薄い厚さを有し、該研磨層は支持フィルムに貼り合わされており、該支持フイルムは1ミリメートルに等しいか、それより薄い厚さを有し、該研磨パッドは平均の全体厚さが3ミリメートルに等しいか、それより薄い厚さを有し、前記研磨層は以下に記す研磨材料から本質的に構成されている研磨表面を有すること:i.0.5g/cm3 以上の密度 ;ii.メートル当たり34ミリニュートンに等しいか、それ以上の臨界表面張力;iii.引っ張りモデュラス0.02〜5ギガパスカル;iv.引っ張りモデュラス30°Cの引っ張りモデュラス60°Cに対する比率が1.0〜2.5;v.硬度15〜80、ショワーD;vi.降伏応力、300〜6000ポンド/平方吋vii.引っ張り強度1000〜15,000ポンド/平方吋;viii.破断伸度500%に等しいか、それ以下: 前記研磨材料は、以下のグループから選択された、少なくとも1つの分子構成成分を有すること:1.ウレタン、2.カーボネート、3.アミド、4.エステル、5.エーテル、6.アクリレート、7.メタアクリレート、8.アクリル酸、9.メタアクリル酸、10.スルホン、11.アクリルアミド、12.ハライド、13.イミド、14.カルボキシル、15.カルボニル、16.アミノ、17.アルデヒド、18.ヒドロキシル。

IPC (8件)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 621 , B24B 37/00 , B24D 3/34 , B24D 11/00 , B24D 11/04 , C08J 5/14 CEZ , C08L101:00

FI (9件)：

H01L 21/304 622 F , H01L 21/304 621 D , H01L 21/304 622 R , B24B 37/00 C , B24D 3/34 Z , B24D 11/00 A , B24D 11/04 , C08J 5/14 CEZ , C08L101:00

Fターム (37件)：

3C058AA07 , 3C058AA09 , 3C058AA12 , 3C058DA12 , 3C058DA17 , 3C063AA03 , 3C063AB05 , 3C063AB07 , 3C063BA15 , 3C063BC03 , 3C063BG08 , 3C063BH14 , 3C063CC08 , 3C063CC19 , 3C063CC20 , 3C063CC30 , 3C063EE10 , 3C063FF23 , 4F071AA23 , 4F071AA32 , 4F071AA33 , 4F071AA35 , 4F071AA43 , 4F071AA50 , 4F071AA51 , 4F071AA53 , 4F071AA54 , 4F071AA64 , 4F071AF15Y , 4F071AF20Y , 4F071AF21Y , 4F071AF25Y , 4F071AH19 , 4F071BC01 , 4F071BC11 , 4F071BC12 , 4F071BC13

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