特許

J-GLOBAL ID：200903001788010585

炭素添加化合物半導体結晶成長方法

発明者： 香田 拡樹 ,  和田 一実
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 小林 将高
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-271907
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090166
出願日： 1991年09月25日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】 気相成長法による高温成長可能な高濃度炭素添加化合物半導体薄膜の結晶成長方法を得る。【構成】 基板10を650°C(従来は500°C)の高温でTMSb5を0.4ccm、TMGa7を1.5ccm、AsH3 8を4.0ccmで反応容器1に供給し、成長させた母結晶のGaAs層に炭素を高濃度で添加することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

気相成長法によるIII・V 属化合物半導体結晶への炭素添加結晶成長法において、母結晶の格子定数を大きくするようなIII 族またはV族の等電荷元素を含む有機金属ガスを母結晶の成長ガスとともに供給することを特徴とする炭素添加化合物半導体結晶成長法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-203520
  
• 特開平3-110829
  
• 特開昭64-007614
  
• 特開平4-146680