特許

J-GLOBAL ID：200903001790549327

導体回路の形成方法

発明者： 諏訪 時人 ,  佐通 祐一 ,  吉村 豊房 ,  赤星 晴夫 ,  宮崎 政志 ,  高田 俊成
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-099823
公開番号（公開出願番号）：特開平9-288358
出願日： 1996年04月22日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】レジスト剥離前に紫外線を照射することで、剥離液の浸透性が増し、レジストを効果的に除去し、高精度の微細配線を欠陥なく製造する。【解決手段】レジスト剥離工程の前に、紫外線を0.5J/cm2以上照射する。その後、レジストを剥離して、下地金属のエッチング液で処理して、レジスト残渣を除去することにより、レジスト残りに起因するエッチング残りを防止する。

請求項（抜粋）：

感光性レジストの剥離工程において、剥離処理する前に紫外線を少なくとも0.5J/cm2照射する工程を含むことを特徴とするレジストの剥離方法。

IPC (5件)：

G03F 7/42 ,  H05K 3/06 ,  H05K 3/18 ,  H05K 3/24 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 7/42 ,  H05K 3/06 C ,  H05K 3/06 J ,  H05K 3/18 D ,  H05K 3/24 A ,  H01L 21/30 572 B