イオンビーム装置及び試料加工方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平木祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-217096
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033070
出願日： 2000年07月18日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】高スループットかつ高加工位置精度を実現する。【解決手段】加工用のイオンビームとして、像分解能が高い集束イオンビーム11と、大電流ビームに用いる断面エッジ部がシャープに加工できるエッジ加工用イオンビーム12の2種類用意し、大電流イオンビームでも高加工位置精度を実現する。

請求項（抜粋）：

イオンを発生するイオン発生手段、前記イオン発生手段から発生したイオンを集束してイオンビームを形成する集束手段、前記イオンビームの電流を制限する開口部を持つ制限絞り、前記イオンビームを試料上で走査するためのビーム偏向手段、及び前記イオンビームを試料に照射する照射手段を含むイオンビーム光学系と、試料を載置する試料ステージと、前記イオンビームの照射によって試料から発生する二次粒子を検出する二次粒子検出手段と、前記イオンビーム光学系を制御する制御手段とを具備し、前記制御手段は、試料の走査イオン顕微鏡像を形成するための観察用イオンビームあるいは試料を加工するための加工用イオンビームが形成されるように前記イオンビーム光学系を制御し、加工用イオンビームのビーム電流が所定の値より小さいときは像分解能が高いビーム集束状態の集束加工用イオンビームが形成され、加工用イオンビームのビーム電流が所定の値以上のときは加工試料の断面エッジ部がシャープに加工できるビーム集束状態のエッジ加工用イオンビームが形成されるように前記イオンビーム光学系を制御することを特徴とするイオンビーム装置。

IPC (4件)：

H01J 37/30 , C23F 4/00 , H01J 37/317 , H01L 21/3065

FI (4件)：

H01J 37/30 A , C23F 4/00 C , H01J 37/317 D , H01L 21/302 B

Fターム (26件)：

4K057DA11 , 4K057DA14 , 4K057DA19 , 4K057DD04 , 4K057DD08 , 4K057DG17 , 4K057DG18 , 4K057DJ07 , 4K057DM12 , 4K057DM13 , 4K057DM17 , 4K057DM21 , 4K057DM35 , 4K057DM36 , 4K057DM37 , 4K057DN01 , 5C034AA02 , 5C034AA03 , 5C034AB02 , 5C034AB04 , 5C034DD03 , 5C034DD06 , 5F004AA16 , 5F004BA17 , 5F004CB05 , 5F004EA39

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