特許
J-GLOBAL ID：200903001793732211
テキスチャ化磁気記憶ディスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-247352
公開番号（公開出願番号）：特開平8-180407
出願日： 1995年09月26日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：
【要約】【課題】 滑らかな基板に面粗度を設けて、スティクションを減少させる。【解決手段】 磁気ディスク記憶媒体(10)は、滑らかな非磁性基板(11)上に、連続的な非磁性の凹凸を有する薄膜(「テキスチャ膜」)(14)をスパッタ被着させることにより、凹凸を有する面にされる。テキスチャ膜(14)のスパッタ条件および構成は、所望の粗度および凹凸の面積密度を与えるために選択される。スパッタリングされた接着層(12)およびスパッタリングされたキャッピング層(15)の双方またはいずれか一方が、テキスチャ膜の成長を制御し、その機械的性質を改良するためにそれぞれ含まれる。続いて、非磁性の下地層、磁性層および保護層が、凹凸を有する基板上に連続してスパッタリングされる。
請求項（抜粋）：
磁気ディスクを形成するための方法であって、約2nmより大きなテキスチャ粗度Raを有する連続的なテキスチャ膜を基板上に堆積させ、前記テキスチャ粗度は、前記堆積中に形成され、および前記テキスチャ膜上に磁性層を堆積させる、ステップを備えている方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
