特許

J-GLOBAL ID：200903001794996905

半導体装置の製造方法

発明者： 村中 誠志
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-387387
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188139
出願日： 2001年12月20日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】 コンタクトホールのエッチング残渣を除去する際に、コンタクトホールの形状が劣化することを抑止する。【解決手段】 フッ素を含有した剥離液を用いて半導体基板上に付着しているエッチング残渣物を除去する方法であって、半導体基板を回転させながらエッチング残渣物を除去するようにした。これにより、剥離液による薬液処理時間を短縮することが可能となり、層間絶縁膜のエッチング量を低減することができる。

請求項（抜粋）：

フッ素を含有した剥離液を用いて半導体基板上に付着しているエッチング残渣物を除去する方法であって、前記半導体基板を回転させながら前記エッチング残渣物を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 647 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/306 D

Fターム (19件)：

4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD22 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ95 ,  5F033QQ96 ,  5F033RR04 ,  5F033WW06 ,  5F033XX00 ,  5F033XX03 ,  5F033XX21 ,  5F043AA30 ,  5F043BB21 ,  5F043DD10