特許

J-GLOBAL ID：200903001798788088

半導体装置

発明者： 牛久 幸広
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-297066
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179228
出願日： 1990年09月14日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：

【要約】【課題】 薄いゲート酸化膜を用い、セルファラインでソース/ドレイン領域が形成され、浅いチャネル領域が0.5μm以下のゲート長を持つ微細なMOSトランジスタを備えた半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板1には、ゲート絶縁膜6と、ゲート絶縁膜6上に形成されたゲート電極7と、前記ソース/ドレイン領域4上に形成された熱酸化膜2と、熱酸化膜上に形成された絶縁膜5とが形成されている。、絶縁膜の上面とゲート絶縁膜上のゲート電極の上面の高さが略同一であり、熱酸化膜は、ゲート絶縁膜より厚くなっている。素子の平坦化をはかることができる。この半導体装置は、ダミーゲートをマスクにして自己整合的にソース/ドレイン領域を形成すると共に自己整合的にゲート電極を形成している為、ソース/ドレイン領域とゲート電極に合わせずれが生じず微細化された素子を形成することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板に形成された絶縁領域と、前記半導体基板に、前記絶縁領域に隣接し互いに離間して形成されたソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ソース領域上及び前記ドレイン領域上に形成された熱酸化膜と、前記熱酸化膜上に形成された絶縁膜とを具備し、前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜上及び前記絶縁領域に形成されており、かつ前記絶縁膜の上面と前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極の上面の前記半導体基板からの高さが略同一であり、前記熱酸化膜は、前記ゲート絶縁膜より厚いことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49

FI (5件)：

H01L 21/28 A ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/58 G ,  H01L 29/78 301 P

Fターム (55件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB07 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD22 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD46 ,  4M104DD53 ,  4M104DD66 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104HH12 ,  4M104HH14 ,  4M104HH16 ,  5F140AA15 ,  5F140AA39 ,  5F140BA01 ,  5F140BB13 ,  5F140BC06 ,  5F140BC17 ,  5F140BD01 ,  5F140BD07 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF18 ,  5F140BG02 ,  5F140BG03 ,  5F140BG04 ,  5F140BG14 ,  5F140BG26 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG31 ,  5F140BG34 ,  5F140BG36 ,  5F140BG38 ,  5F140BG45 ,  5F140BG54 ,  5F140BH15 ,  5F140BK03 ,  5F140BK05

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 実願昭55-163400号(実開昭57-87545号)のマイクロミドフィルム(第2図〜第5図、第6図〜第10図、及びそれらの説明箇所)
  
• 特開平3-104236号公報(第1図及びその説明箇所(実施例))