特許
J-GLOBAL ID：200903001799414351
CVD装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八幡 義博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-350511
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181006
出願日： 1995年12月22日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 CVD装置において、1度の膜の成長で基板に格子整合した膜を得ること。【解決手段】 エックス線源26とエックス線検出器27とロッキングカーブ測定手段28を設け、反応炉15には基板上の膜へエックス線を照射するための入射窓30と反射エックス線を検出するための出射窓31を設け、ロッキングカーブ測定手段28内の制御コンピュータにより、膜の成長過程で時々刻々とロッキングカーブを測定し基板と膜の回折ピークの角度差から格子定数の差を算出し、この差がゼロに近づくように制御手段29を介して流量調整器4を調整して反応炉15への材料供給量を調節して材料組成比を修正していく。
請求項（抜粋）：
次の各構成を有することを特徴とするCVD装置。(イ)基板上の成長膜のロッキングカーブ測定のためのエックス線源(ロ)基板上の成長膜のロッキングカーブ測定のためのエックス線検出器(ハ)内部に置かれた基板上の成長膜に対して外部のエックス線源からエックス線を照射するための入射窓と、基板上の成長膜で反射したエックス線を外部のエックス線検出器へ到達させるための出射窓とを有するCVD反応炉(ニ)CVD反応炉への反応材料供給量調節手段(ホ)前記エックス線源とエックス線検出器とにより基板上の成長膜のロッキングカーブを測定するロッキングカーブ測定手段(ヘ)測定されたロッキングカーブにおける基板と膜の回折ピークの角度差から格子定数の差を算出したうえでその差をなくし基板に格子整合した膜が得られるよう反応材料供給量調節手段の供給量を制御する制御手段
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/52
, C30B 25/16
, H01L 21/66
H01L 21/205
, C23C 16/52
, C30B 25/16
, H01L 21/66 P
