特許

J-GLOBAL ID：200903001807576099

窒化物系化合物半導体の製造方法

発明者： 石田 昌宏 ,  油利 正昭 ,  今藤 修 ,  橋本 忠朗
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-113159
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307458
出願日： 1998年04月23日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】 P型窒化物系化合物半導体の成長後のアニール工程を不要にし、かつ低抵抗のP型窒化物系化合物半導体を得る。【解決手段】 3族原子を有する原料と、窒素原子を有する原料と、ドーピング原料とを炉内に供給することによりP型の窒化物系化合物半導体層を形成する第1の成長工程と、その後、それら3種類の原料の炉内への供給を一時停止する停止工程と、その後、それら3種類の原料を炉内に再び供給することにより、P型の窒化物系化合物半導体層を形成する第2の成長工程とを備える。

請求項（抜粋）：

3族原子を有する原料と、窒素原子を有する原料と、ドーピング原料とを炉内に供給することによりP型の窒化物系化合物半導体層を形成する第1の成長工程と、その後、前記3族原子を有する原料と、前記窒素原子を有する原料と、前記ドーピング原料との前記炉内への供給を一時停止する停止工程と、その後、前記3族原子を有する原料と、前記窒素原子を有する原料と、前記ドーピング原料とを前記炉内に再び供給することにより、P型の窒化物系化合物半導体層を形成する第2の成長工程とを有することを特徴とする窒化物系化合物半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/12 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01S 3/18 ,  H01L 29/14