特許
J-GLOBAL ID：200903001809421327

TFT基板及びその製造方法

発明者：
井上 一吉

井上 一吉 について

, 
松原 雅人

松原 雅人 について

, 
田中 信夫

田中 信夫 について


出願人/特許権者：
出光興産株式会社

出光興産株式会社 について


代理人 (1件)： 伊藤 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-005637
公開番号（公開出願番号）：特開2006-195086
出願日： 2005年01月12日
公開日（公表日）： 2006年07月27日
要約：
【課題】 特定の金属を含有する透明導電材料を画素電極、透明電極に使用することにより、TFT(薄膜トランジスタ)基板の製造方法を簡略化する。【解決手段】 表示装置に用いられるTFT基板であって、透明基板と、前記透明基板上に設けられ、前記表示装置の画素を制御する画素電極と、前記透明基板上に設けられ、前記画素電極を駆動する薄膜トランジスタと、を備え、前記薄膜トランジスタは、少なくとも、Alゲート電極と、ゲート絶縁膜と、第1の半導体層と、第2の半導体層と、Alソース・ドレイン電極と、を含み、前記画素電極は、前記Alゲート電極及び/又は前記Alソース・ドレイン電極と直接接合し、当該画素電極が、酸化亜鉛を主成分とする導電性酸化物よりなることを特徴とするTFT基板である。バリヤーメタルを設けていないので、製造工程を簡略化することができる。【選択図】 図1
請求項１：
表示装置に用いられるTFT基板であって、 透明基板と、 前記透明基板上に設けられ、前記表示装置の画素を制御する画素電極と、 前記透明基板上に設けられ、前記画素電極を駆動する薄膜トランジスタと、 を備え、 前記薄膜トランジスタは、少なくとも、Alゲート電極と、ゲート絶縁膜と、第1の半導体層と、第2の半導体層と、Alソース・ドレイン電極と、を含み、 前記画素電極は、前記Alゲート電極及び/又は前記Alソース・ドレイン電極と直接接合し、 当該画素電極が、酸化亜鉛を主成分とする導電性酸化物よりなることを特徴とするTFT基板。
IPC (7件)：
G09F 9/30 ,  G02F 1/134 ,  G02F 1/136 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (10件)：
G09F9/30 339Z ,  G09F9/30 338 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01B5/14 A ,  H01B5/14 B ,  H01B13/00 503B ,  H01B13/00 503D ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 612D
Fターム (52件)：
2H092HA03 ,  2H092JA24 ,  2H092KA17 ,  2H092KB13 ,  2H092NA27 ,  5C094AA02 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094EA04 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5F110AA03 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG45 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HM18 ,  5F110NN02 ,  5F110NN14 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ05 ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC03 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05 ,  5G323BC03 ,  5G323CA01
引用特許：
出願人引用 (21件)
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審査官引用 (7件)
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