特許
J-GLOBAL ID:200903001809421327
TFT基板及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
伊藤 充
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-005637
公開番号(公開出願番号):特開2006-195086
出願日: 2005年01月12日
公開日(公表日): 2006年07月27日
要約:
【課題】 特定の金属を含有する透明導電材料を画素電極、透明電極に使用することにより、TFT(薄膜トランジスタ)基板の製造方法を簡略化する。【解決手段】 表示装置に用いられるTFT基板であって、透明基板と、前記透明基板上に設けられ、前記表示装置の画素を制御する画素電極と、前記透明基板上に設けられ、前記画素電極を駆動する薄膜トランジスタと、を備え、前記薄膜トランジスタは、少なくとも、Alゲート電極と、ゲート絶縁膜と、第1の半導体層と、第2の半導体層と、Alソース・ドレイン電極と、を含み、前記画素電極は、前記Alゲート電極及び/又は前記Alソース・ドレイン電極と直接接合し、当該画素電極が、酸化亜鉛を主成分とする導電性酸化物よりなることを特徴とするTFT基板である。バリヤーメタルを設けていないので、製造工程を簡略化することができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
表示装置に用いられるTFT基板であって、
透明基板と、
前記透明基板上に設けられ、前記表示装置の画素を制御する画素電極と、
前記透明基板上に設けられ、前記画素電極を駆動する薄膜トランジスタと、
を備え、
前記薄膜トランジスタは、少なくとも、Alゲート電極と、ゲート絶縁膜と、第1の半導体層と、第2の半導体層と、Alソース・ドレイン電極と、を含み、
前記画素電極は、前記Alゲート電極及び/又は前記Alソース・ドレイン電極と直接接合し、
当該画素電極が、酸化亜鉛を主成分とする導電性酸化物よりなることを特徴とするTFT基板。
IPC (7件):
G09F 9/30
, G02F 1/134
, G02F 1/136
, H01B 5/14
, H01B 13/00
, H01L 29/786
, H01L 21/336
FI (10件):
G09F9/30 339Z
, G09F9/30 338
, G02F1/1343
, G02F1/1368
, H01B5/14 A
, H01B5/14 B
, H01B13/00 503B
, H01B13/00 503D
, H01L29/78 616V
, H01L29/78 612D
Fターム (52件):
2H092HA03
, 2H092JA24
, 2H092KA17
, 2H092KB13
, 2H092NA27
, 5C094AA02
, 5C094AA43
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094BA43
, 5C094EA04
, 5C094FB02
, 5C094FB12
, 5F110AA03
, 5F110AA16
, 5F110BB01
, 5F110CC07
, 5F110DD02
, 5F110EE03
, 5F110EE06
, 5F110EE44
, 5F110FF03
, 5F110FF30
, 5F110GG02
, 5F110GG15
, 5F110GG24
, 5F110GG45
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK09
, 5F110HK16
, 5F110HK22
, 5F110HK25
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110HM18
, 5F110NN02
, 5F110NN14
, 5F110NN24
, 5F110NN35
, 5F110NN71
, 5F110NN72
, 5F110QQ01
, 5F110QQ05
, 5G307FA01
, 5G307FB01
, 5G307FC03
, 5G323BA02
, 5G323BB05
, 5G323BC03
, 5G323CA01
引用特許:
出願人引用 (14件)
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審査官引用 (7件)
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液晶表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-142768
出願人:出光興産株式会社
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透明導電膜およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-209193
出願人:大日本印刷株式会社
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液晶表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-298993
出願人:株式会社日立製作所
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